CO2 可用于支持先進的浸沒光刻，專用低溫清洗應用以及DI(去離子水)處理。

He是第二輕的元素和最冷的液體，用于電子制造中的冷卻，等離子處理和泄漏檢驗。

由于更大的工廠和更高的工藝強度需求，H?的使用量正在增加。它用于硅和硅鍺的外延沉積和表面處理。隨著EUV（極紫外線）的轉變，氫氣的需求量將繼續增長。

O?用于在蝕刻中產生氧化物層。現場可提供雜質少于10ppb的超純液態氧（LOX）且無需外部凈化器。

N?是目前半導體制造中使用最多的氣體。它用于吹掃真空泵，排放系統，還可以用來做為一種工藝氣體。在大型的，先進的工廠，氮氣的消耗量可達每小時5萬立方米，這使得工廠需要成本效益好，低能耗的現場氮氣發生器。